casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT54WS-E3-08
codice articolo del costruttore | BAT54WS-E3-08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAT54WS-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54WS-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54WS-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54WS-E3-08-FT |
GI811-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI811HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI812-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI812HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI814-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI814HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI816-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI816HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI817-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI817HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel