casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT54W-G3-18
codice articolo del costruttore | BAT54W-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54W-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT54W-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54W-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54W-G3-18-FT |
VT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3045S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H100/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1635HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1645/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1645HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel