casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAT54TW-7-F
codice articolo del costruttore | BAT54TW-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54TW-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54TW-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54TW-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54TW-7-F-FT |
SR1620PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR3040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR4050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG6005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SBR10150CTFP
Diodes Incorporated
SBR20100CTFP
Diodes Incorporated
SBR10U60CTFP
Diodes Incorporated
MBR20150SCTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20100CTF-E1
Diodes Incorporated
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel