casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAT54S-7
codice articolo del costruttore | BAT54S-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54S-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54S-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54S-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54S-7-FT |
BAT54V-7
Diodes Incorporated
BAV70DV-7
Diodes Incorporated
BAV99BRVA-7
Diodes Incorporated
BAS16V-7
Diodes Incorporated
MMBD4448V-7
Diodes Incorporated
BAT40VC-7
Diodes Incorporated
BAT54AT-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HTS-7-F
Diodes Incorporated
BAS40-05T-7-F
Diodes Incorporated
BAW156TQ-7-F
Diodes Incorporated
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel