casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAT54ALT1G
codice articolo del costruttore | BAT54ALT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54ALT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54ALT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54ALT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54ALT1G-FT |
MUR1620CTG
ON Semiconductor
MUR1660CTG
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MBR1545CTG
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MBR2545CTG
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NRTSV30H120CTG
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NTST40120CTG
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MBR30H100CTG
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MUR1640CTG
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MBR2060CTG
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XC7A75T-1FTG256C
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XC2S50E-6FTG256I
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XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
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A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel