casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAT5406E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAT5406E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT5406E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT5406E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT5406E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT5406E6327HTSA1-FT |
MMBD4148SE
ON Semiconductor
BAW74-D87Z
ON Semiconductor
BAS70-05-TP
Micro Commercial Co
DB3X313F0L
Panasonic Electronic Components
DA3X101F0L
Panasonic Electronic Components
BAV99-TP
Micro Commercial Co
BAV70E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT54S-TP
Micro Commercial Co
MMBD4148CA
ON Semiconductor
BAT6404E6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel