casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT54-HE3-08
codice articolo del costruttore | BAT54-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT54-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54-HE3-08-FT |
VS-EPH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90EPS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel