codice articolo del costruttore | BAT41 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT41 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT41 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT41 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT41-FT |
STPS3L60UF
STMicroelectronics
STTH110UFY
STMicroelectronics
STTH112UFY
STMicroelectronics
STTH1L06UFY
STMicroelectronics
STTH1R06UFY
STMicroelectronics
STTH2L06UFY
STMicroelectronics
STTH2R06UFY
STMicroelectronics
STTH310UFY
STMicroelectronics
STTH3R06UFY
STMicroelectronics
STPS3L45AF
STMicroelectronics
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel