casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAT17,215
codice articolo del costruttore | BAT17,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT17,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT17,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | 30mA |
Capacità @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 1kHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 100°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT17,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT17,215-FT |
HSMS-286B-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-286B-TR1
Broadcom Limited
HSMS-286B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-286B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-286C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-286C-TR1
Broadcom Limited
HSMS-286C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-286C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-286E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-286E-TR1G
Broadcom Limited
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel