casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS86-GS08
codice articolo del costruttore | BAS86-GS08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS86-GS08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS86-GS08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS86-GS08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS86-GS08-FT |
60EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPU02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPU06
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA06PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel