casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS70-06-G3-18
codice articolo del costruttore | BAS70-06-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS70-06-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS70-06-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-06-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS70-06-G3-18-FT |
VS-MURB1020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30DP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel