casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS70-06-G3-08
codice articolo del costruttore | BAS70-06-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS70-06-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS70-06-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-06-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS70-06-G3-08-FT |
VS-MURB1020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel