casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS70-05-E3-08
codice articolo del costruttore | BAS70-05-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS70-05-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS70-05-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 410mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-05-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS70-05-E3-08-FT |
VS-MBRB3045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel