casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS70-04-G3-18
codice articolo del costruttore | BAS70-04-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS70-04-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS70-04-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-04-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS70-04-G3-18-FT |
VS-MBRB3030CTLTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel