casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS70-00-HE3-08
codice articolo del costruttore | BAS70-00-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS70-00-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS70-00-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-00-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS70-00-HE3-08-FT |
VS-E4PH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PX3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel