casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS40-06LT1G
codice articolo del costruttore | BAS40-06LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAS40-06LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS40-06LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-06LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS40-06LT1G-FT |
NTST30120CTG
ON Semiconductor
MBR16100CTG
ON Semiconductor
MBR41H100CTG
ON Semiconductor
MBR2030CTLG
ON Semiconductor
NTST60100CTG
ON Semiconductor
MBR30H30CTG
ON Semiconductor
MURH860CTG
ON Semiconductor
MBR30L60CTG
ON Semiconductor
NTSV20H120ECTG
ON Semiconductor
NTSV30H100ECTG
ON Semiconductor
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel