casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS40-06-E3-08
codice articolo del costruttore | BAS40-06-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS40-06-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS40-06-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-06-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS40-06-E3-08-FT |
VS-MBRB2090CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
10CX105YF780I5G
Intel
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900CES9937
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation