casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS316Z
codice articolo del costruttore | BAS316Z |
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Numero di parte futuro | FT-BAS316Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS316Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS316Z-FT |
BAV103,135
Nexperia USA Inc.
BAS45AL,115
Nexperia USA Inc.
BAS85,115
Nexperia USA Inc.
BAS85,135
Nexperia USA Inc.
BAS86,115
Nexperia USA Inc.
PMLL4148L,135
Nexperia USA Inc.
PMLL4153,115
Nexperia USA Inc.
PMLL4448,135
Nexperia USA Inc.
BYD17D,115
NXP USA Inc.
BYD17G,115
NXP USA Inc.
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel