casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS 3020B E6327
codice articolo del costruttore | BAS 3020B E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS 3020B E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS 3020B E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS 3020B E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS 3020B E6327-FT |
IDD10SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD15E60BUMA2
Infineon Technologies
SDD04S60
Infineon Technologies
SDP06S60
Infineon Technologies
SDP10S30
Infineon Technologies
HFA08TB60PBF
Infineon Technologies
IDH04G65C5XKSA2
Infineon Technologies
IDH02G120C5XKSA1
Infineon Technologies
HFA15TB60PBF
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel