casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS21TW-7
codice articolo del costruttore | BAS21TW-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS21TW-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS21TW-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21TW-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS21TW-7-FT |
MBR3045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40200PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR4060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR60100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR60100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel