casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS21T-TP
codice articolo del costruttore | BAS21T-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAS21T-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS21T-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 250V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21T-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS21T-TP-FT |
EGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1K-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel