casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS21SLT1G
codice articolo del costruttore | BAS21SLT1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS21SLT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS21SLT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 225mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21SLT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS21SLT1G-FT |
MBR30L60CTG
ON Semiconductor
NTSV20H120ECTG
ON Semiconductor
NTSV30H100ECTG
ON Semiconductor
NRTST40H100CTG
ON Semiconductor
NTST40H120CTG
ON Semiconductor
BYV32-200
ON Semiconductor
MBR10H100CT
ON Semiconductor
MBR10H100CTG
ON Semiconductor
MBR16100CT
ON Semiconductor
MBR20100CTG
ON Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel