casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS170WS-G3-18
codice articolo del costruttore | BAS170WS-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS170WS-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS170WS-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente: media rettificata (Io) | 70mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 70V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS170WS-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS170WS-G3-18-FT |
MUR140-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation