casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS170WS-G3-08
codice articolo del costruttore | BAS170WS-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS170WS-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS170WS-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente: media rettificata (Io) | 70mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 70V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS170WS-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS170WS-G3-08-FT |
MUR140-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR140-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel