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codice articolo del costruttore | BAS16WT-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16WT-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16WT-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16WT-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16WT-TP-FT |
BAT 54 B5003
Infineon Technologies
BAT 64 B5003
Infineon Technologies
BAT54
ON Semiconductor
BAT54-D87Z
ON Semiconductor
BAT54A_L99Z
ON Semiconductor
BAT54T
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BAT54_ND87Z
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DB3Y313KEL
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DB3Y501KEL
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FYV0203SMTF
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LCMXO2-7000ZE-1TG144C
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A54SX16A-1FG144
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M2GL010TS-1FG484I
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APA750-PQ208
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EP3CLS70F484I7
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10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel