casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16TT1G
codice articolo del costruttore | BAS16TT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16TT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16TT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16TT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16TT1G-FT |
MBR2H200SFT1G
ON Semiconductor
MBR230LSFT1G
ON Semiconductor
NRVTS245ESFT1G
ON Semiconductor
MBR2H200SFT3G
ON Semiconductor
MBR2H100SFT3G
ON Semiconductor
NTS260SFT1G
ON Semiconductor
NTS260ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120LSFT3G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB1H100SFT3G
ON Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
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LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
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LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel