casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16T-TP
codice articolo del costruttore | BAS16T-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16T-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16T-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente: media rettificata (Io) | 75mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16T-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16T-TP-FT |
GF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1K-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel