casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16QAZ
codice articolo del costruttore | BAS16QAZ |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16QAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS16QAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 290mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16QAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16QAZ-FT |
MBRF7H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel