casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16QAZ
codice articolo del costruttore | BAS16QAZ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS16QAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS16QAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 290mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16QAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16QAZ-FT |
MBRF7H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel