codice articolo del costruttore | BAS116 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente: media rettificata (Io) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS116-FT |
SS13HE
ON Semiconductor
S1GHE
ON Semiconductor
SS16HE
ON Semiconductor
SS14HE
ON Semiconductor
S1JHE
ON Semiconductor
MBR0540
ON Semiconductor
MBR0530
ON Semiconductor
MBR0520L
ON Semiconductor
MMSD459A
ON Semiconductor
MMSD485B
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel