casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS116TT1G
codice articolo del costruttore | BAS116TT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAS116TT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS116TT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116TT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS116TT1G-FT |
MBR2H200SFT3G
ON Semiconductor
MBR2H100SFT3G
ON Semiconductor
NTS260SFT1G
ON Semiconductor
NTS260ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120LSFT3G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB1H100SFT3G
ON Semiconductor
NTS260ESFT3G
ON Semiconductor
NTS260SFT3G
ON Semiconductor
MBR120LSFT1G
ON Semiconductor
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel