casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS116E6433HTMA1
codice articolo del costruttore | BAS116E6433HTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS116E6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS116E6433HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116E6433HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS116E6433HTMA1-FT |
GP2D010A120C
Global Power Technologies Group
RD0106T-TL-H
ON Semiconductor
RD0504T-P-TL-H
ON Semiconductor
RD0504T-TL-H
ON Semiconductor
RD0506T-TL-H
ON Semiconductor
RHRD660S9A_NL
ON Semiconductor
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation