casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAP51-06W,115
codice articolo del costruttore | BAP51-06W,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAP51-06W,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAP51-06W,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - 1 Pair Common Anode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente - max | 50mA |
Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 5V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 240mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP51-06W,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAP51-06W,115-FT |
RN779FFHT106
Rohm Semiconductor
RN779FT106
Rohm Semiconductor
RN142ZST2R
Rohm Semiconductor
RN739DT146
Rohm Semiconductor
RN779DT146
Rohm Semiconductor
MA2707700L
Panasonic Electronic Components
MA2SP0500L
Panasonic Electronic Components
MA2SP050GL
Panasonic Electronic Components
DA2S00100L
Panasonic Electronic Components
MA2SP0100L
Panasonic Electronic Components
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel