casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAP50-05W,115
codice articolo del costruttore | BAP50-05W,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAP50-05W,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAP50-05W,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - 1 Pair Common Cathode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente - max | 50mA |
Capacità @ Vr, F | 0.5pF @ 5V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 240mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP50-05W,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAP50-05W,115-FT |
RN142ZST2R
Rohm Semiconductor
RN739DT146
Rohm Semiconductor
RN779DT146
Rohm Semiconductor
MA2707700L
Panasonic Electronic Components
MA2SP0500L
Panasonic Electronic Components
MA2SP050GL
Panasonic Electronic Components
DA2S00100L
Panasonic Electronic Components
MA2SP0100L
Panasonic Electronic Components
MA2SP010GL
Panasonic Electronic Components
MA2SP0200L
Panasonic Electronic Components
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel