casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BA885E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BA885E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BA885E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA885E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente - max | 50mA |
Capacità @ Vr, F | 0.6pF @ 10V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 7 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA885E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BA885E6327HTSA1-FT |
HSMP-389V-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-270P-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280L-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280L-TR1G
Broadcom Limited
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
5SGXEA5H2F35C2L
Intel
10AX090H1F34E1SG
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel
EP1C12F324C7N
Intel
5SGSMD4H2F35C2L
Intel