casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BA783-HG3-18
codice articolo del costruttore | BA783-HG3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BA783-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA783-HG3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 35V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783-HG3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BA783-HG3-18-FT |
HSMS-2820-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2822-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2823-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2824-BLKG
Broadcom Limited
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35E2SG
Intel
XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C6G
Intel