casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BA783-HE3-18
codice articolo del costruttore | BA783-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BA783-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA783-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 35V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BA783-HE3-18-FT |
HSMS-2820-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2822-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2823-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR1G
Broadcom Limited
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel