casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BA682-GS18
codice articolo del costruttore | BA682-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-BA682-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA682-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 35V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 1.25pF @ 3V, 100MHz |
Resistenza @ Se, F | 500 mOhm @ 10mA, 200MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA682-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BA682-GS18-FT |
HSMS-280B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2810-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2812-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR2G
Broadcom Limited
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel