casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BA591,135
codice articolo del costruttore | BA591,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BA591,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BA591,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 35V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.9pF @ 3V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 500 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA591,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BA591,135-FT |
1SS390TE61
Rohm Semiconductor
RN141STE61
Rohm Semiconductor
DAN235ETL
Rohm Semiconductor
DAP236UT106
Rohm Semiconductor
RN739FT106
Rohm Semiconductor
DAN235UT106
Rohm Semiconductor
RN779FFHT106
Rohm Semiconductor
RN779FT106
Rohm Semiconductor
RN142ZST2R
Rohm Semiconductor
RN739DT146
Rohm Semiconductor
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel