casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / B82476B1332M100
codice articolo del costruttore | B82476B1332M100 |
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Numero di parte futuro | FT-B82476B1332M100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | B82476B1 |
B82476B1332M100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5.9A |
Corrente - Saturazione | 6.4A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 13.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.510" L x 0.370" W (12.95mm x 9.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.200" (5.08mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B82476B1332M100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B82476B1332M100-FT |
B82477R4104M100
EPCOS (TDK)
B82477R4683M100
EPCOS (TDK)
B82477R4103M100
EPCOS (TDK)
B82477R4223M100
EPCOS (TDK)
B82477R4224M100
EPCOS (TDK)
B82477R4472M100
EPCOS (TDK)
B82477R4105M100
EPCOS (TDK)
B82477R4152M100
EPCOS (TDK)
B82477R4154M100
EPCOS (TDK)
B82477R4202M100
EPCOS (TDK)
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel