casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / B82476B1103M100
codice articolo del costruttore | B82476B1103M100 |
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Numero di parte futuro | FT-B82476B1103M100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | B82476B1 |
B82476B1103M100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.3A |
Corrente - Saturazione | 3.8A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 27 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.510" L x 0.370" W (12.95mm x 9.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.200" (5.08mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B82476B1103M100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B82476B1103M100-FT |
B82479A1474M000
EPCOS (TDK)
B82479A1683M000
EPCOS (TDK)
B82479A1105M000
EPCOS (TDK)
B82479A1102M000
EPCOS (TDK)
B82479A1153M000
EPCOS (TDK)
B82479A1154M000
EPCOS (TDK)
B82479A1222M000
EPCOS (TDK)
B82479A1223M000
EPCOS (TDK)
B82479A1332M000
EPCOS (TDK)
B82479A1562M000
EPCOS (TDK)
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel