casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / B82469G1102M
codice articolo del costruttore | B82469G1102M |
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Numero di parte futuro | FT-B82469G1102M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | B82469G1 |
B82469G1102M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2A |
Corrente - Saturazione | 2.05A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 35 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.150" L x 0.142" W (3.80mm x 3.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B82469G1102M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B82469G1102M-FT |
B82412A3471K
EPCOS (TDK)
B82412A3560J
EPCOS (TDK)
B82412A3560K
EPCOS (TDK)
B82412A3560M
EPCOS (TDK)
B82412A3561J
EPCOS (TDK)
B82412A3561K
EPCOS (TDK)
B82412A3561M
EPCOS (TDK)
B82412A3680J
EPCOS (TDK)
B82412A3680K
EPCOS (TDK)
B82412A3681J
EPCOS (TDK)
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation