casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / B80C800G-E4/51
codice articolo del costruttore | B80C800G-E4/51 |
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Numero di parte futuro | FT-B80C800G-E4/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B80C800G-E4/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 125V |
Corrente: media rettificata (Io) | 900mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 900mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 125V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Circular, WOG |
Pacchetto dispositivo fornitore | WOG |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B80C800G-E4/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B80C800G-E4/51-FT |
E-L6210
STMicroelectronics
L6210
STMicroelectronics
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division
UC3610N
Texas Instruments
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