casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / B5818LWS-TP
codice articolo del costruttore | B5818LWS-TP |
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Numero di parte futuro | FT-B5818LWS-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B5818LWS-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B5818LWS-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B5818LWS-TP-FT |
GF1M-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1MHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1MHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1BHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1D-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1J-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1JHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel