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codice articolo del costruttore | B512FSE-2T-YEB |
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Numero di parte futuro | FT-B512FSE-2T-YEB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B512FSE-2T-YEB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 600V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 60mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 250A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B512FSE-2T-YEB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B512FSE-2T-YEB-FT |
TD160N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
TD175N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
TT140N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
TT175N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
TD190N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
TD140N18KOFHPSA1
Infineon Technologies
TD140N22KOFHPSA1
Infineon Technologies
TT190N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
TT250N16KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TD160N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQ80
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCVU095-3FFVC1517E
Xilinx Inc.
XC3S200A-5VQG100C
Xilinx Inc.
APA075-FG144
Microsemi Corporation
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
10M50DAF672C7G
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation