casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / B350Q-13-F
codice articolo del costruttore | B350Q-13-F |
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Numero di parte futuro | FT-B350Q-13-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
B350Q-13-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B350Q-13-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B350Q-13-F-FT |
SB10-05A3-BT
ON Semiconductor
SB140F056
ON Semiconductor
SB150
ON Semiconductor
SB320
ON Semiconductor
SB340F055
ON Semiconductor
ES2D
ON Semiconductor
MBRS140
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S2J
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SS24
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SS25
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LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
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M2GL010TS-1FG484I
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APA750-PQ208
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EP3CLS70F484I7
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10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
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