casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / B320AF-13
codice articolo del costruttore | B320AF-13 |
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Numero di parte futuro | FT-B320AF-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B320AF-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMAF |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B320AF-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B320AF-13-FT |
SF2007PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2008PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3006PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3008PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54WQ-7-F
Diodes Incorporated
BAS20W-7-F
Diodes Incorporated
BAT54W-7-F
Diodes Incorporated
BAS70W-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4148W-7-F
Diodes Incorporated
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel