casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / B2100AF-13
codice articolo del costruttore | B2100AF-13 |
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Numero di parte futuro | FT-B2100AF-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B2100AF-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMAF |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B2100AF-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B2100AF-13-FT |
SF2008PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3006PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF3008PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT54WQ-7-F
Diodes Incorporated
BAS20W-7-F
Diodes Incorporated
BAT54W-7-F
Diodes Incorporated
BAS70W-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4148W-7-F
Diodes Incorporated
BAS16W-7-F
Diodes Incorporated
BAS19W-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel