codice articolo del costruttore | B1S-G |
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Numero di parte futuro | FT-B1S-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B1S-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | MBS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B1S-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B1S-G-FT |
SET111424
Semtech Corporation
SET121223
Semtech Corporation
CD-MBL206S
Bourns Inc.
GBU25KH
Diodes Incorporated
BR1005-BP
Micro Commercial Co
BR101-BP
Micro Commercial Co
BR1010-BP
Micro Commercial Co
BR104-BP
Micro Commercial Co
BR106-BP
Micro Commercial Co
BR108-BP
Micro Commercial Co
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV400E-7FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE110F1152I4L
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
10AX090N3F40I2LG
Intel
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP3C25F324A7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel