casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / B190BE-13
codice articolo del costruttore | B190BE-13 |
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Numero di parte futuro | FT-B190BE-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B190BE-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B190BE-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B190BE-13-FT |
JAN1N5804
Microsemi Corporation
JAN1N5809
Microsemi Corporation
JAN1N5809US
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JAN1N5811
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JAN1N6074
Microsemi Corporation
JAN1N6075
Microsemi Corporation
JAN1N6081
Microsemi Corporation
JAN1N6638
Microsemi Corporation
JAN1N6638U
Microsemi Corporation
JAN1N6638US
Microsemi Corporation
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
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EP20K400ERC208-3
Intel