casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Array / AZ23C8V2-HE3-18
codice articolo del costruttore | AZ23C8V2-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AZ23C8V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C8V2-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione | 1 Pair Common Anode |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 6V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C8V2-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AZ23C8V2-HE3-18-FT |
AZ23C33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LFXP15E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EQC208-2
Intel